【CIE云讲堂】|0526|中国科学技术大学龙世兵：氧化镓半导体器件

[视频作者] 中国电子学会

[视频时长] 35:8

[视频类型] 科学科普

报告摘要：氧化镓是一种超宽禁带（~4.8eV）半导体材料，其高击穿场强（~8MV/cm）、高Baliga品质因数（~3444）、低成本熔融法单晶生长技术等突出优点使其在功率器件（SBD、MOSFET）领域具有重要的应用；同时，氧化镓的超宽禁带在无需掺杂的情况下即直接对应日盲紫外波段的吸收，在日盲深紫外探测、X射线探测等短波长探测领域也具有重要的应用。另外，氧化镓材料还具有具有耐高温、耐高压、抗辐照的特性。目前国际上对超宽禁带氧化镓材料和器件领域的研究兴趣倍增，在各发达国家半导体技术前瞻布局中具有重要的战略

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